云財經(jīng)訊，近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所蔡艷研究員團隊與歐欣研究員團隊合作，通過“萬能離子刀”剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)，在六吋圖形化SiN晶圓上集成了高質(zhì)量的鈮酸鋰薄膜，并通過晶圓級工藝制備出具備高速數(shù)據(jù)傳輸能力的異質(zhì)集成薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器。該異質(zhì)集成方案中，氮化硅與薄膜鈮酸鋰形成混合波導(dǎo)，鈮酸鋰薄膜無需刻蝕加工，簡化了工藝流程。該工作不僅對全流程晶圓級制備硅光異質(zhì)集成薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器進(jìn)行了探索，而且為未來硅光平臺與薄膜鈮酸鋰進(jìn)行晶圓級異質(zhì)集成的量產(chǎn)奠定了一定基礎(chǔ)。