云財經(jīng)訊，盡管HBM自推出到登上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)舞臺中心花費了近十年時間，但其迭代技術(shù)HBF或?qū)⒁愿焖俣葘崿F(xiàn)商業(yè)化和普及。據(jù)報道，SK海力士正與閃迪合作，致力于HBF標(biāo)準(zhǔn)的制定。該公司計劃最早于今年推出HBF1(第一代產(chǎn)品)樣品，該產(chǎn)品預(yù)計采用16層NAND閃存堆疊而成。除此之外，據(jù)“HBM之父”韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)教授金正浩透露：“三星電子和閃迪計劃最快在2027年底或2028年初將HBF技術(shù)應(yīng)用于英偉達(dá)、AMD和谷歌的實際產(chǎn)品中?！彼a充道：“由于在研發(fā)HBM的過程中積累了豐富的工藝和設(shè)計技術(shù)，能將這些經(jīng)驗應(yīng)用于HBF設(shè)計中。因此HBF技術(shù)的研發(fā)速度會更快?！盚BF即高帶寬閃存，其結(jié)構(gòu)與堆疊DRAM芯片的HBM類似，是一種通過堆疊NAND閃存而制成的產(chǎn)品。金正浩認(rèn)為，HBM與HBF就好比書房與圖書館。前者容量雖小，但使用起來方便；后者容量更大，但也意味著延遲更高。