消息稱三星電子1c DRAM良率超80% HBM4良率接近60%

2026-02-25 10:09 來源: 云財(cái)經(jīng) 影響力評估指數(shù)：18.19

云財(cái)經(jīng)訊，業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子內(nèi)部已實(shí)現(xiàn)1c DRAM 80%的良率，這是在高溫環(huán)境下(熱測試)取得的最高良率，2025年第四季度其良率約為60-70%，如今已顯著提升，并有望在5月份左右達(dá)到90%。業(yè)內(nèi)人士進(jìn)一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度約為50%。

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三星概念股：

萬順新材(300057) 東材科技(601208) 愛施德(002416) 朗科科技(300042) 碩貝德(300322)

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